Intel y la nueva micro arquitectura de 14 nanómetros

Intel presentó el 12 de agosto de 2014 los detalles de su nueva micro arquitectura, optimizada con la tecnología de 14 nanómetros (nm). Fundamentalmente, es un modelo de alto rendimiento y bajo consumo de energía para cómputo que va desde dispositivos móviles hasta infraestructura de computación en la nube e Internet de las Cosas.

“La combinación de la nueva micro arquitectura y del proceso de fabricación darán inicio a una nueva ola de innovación en nuevos factores de forma, experiencias y sistemas más delgados, silenciosos y frescos”, escribe Intel, agregando que en comparación a la generación anterior del procesador, sus arquitectos y diseñadores  han reducido dos veces el diseño térmico del chip, al mismo tiempo que proporcionan un rendimiento similar y otorgan una mejora en la duración de la batería.

Intel ha desarrollado la primera tecnología de 14 nm del mundo en volumen de producción. Utiliza la segunda generación de transistores Tri-gate (FinFET), que entrega el mejor desempeño, potencia, densidad y costo por transistor de la industria.

La tecnología de 14 nm de Intel se usará para fabricar una amplia gama de productos de alto rendimiento y de bajo consumo, incluyendo servidores, dispositivos de computación personal y del Internet de las Cosas.
Los primeros sistemas basados en el procesador Intel® Core™ M estarán disponibles en el primer semestre de 2015.

Productos adicionales basados en la micro arquitectura Broadwell y en el proceso tecnológico de 14 nm se introducirán en los próximos meses.
“El modelo integrado de Intel –la combinación de nuestra experiencia de diseño con el mejor proceso de fabricación– hace posible la entrega de un mejor rendimiento y bajo consumo para nuestros clientes y para los consumidores”, dijo Rani Borkar, vicepresidente y gerente general de desarrollo de productos de Intel. “Esta nueva micro arquitectura es más que un notable logro técnico. Es una demostración de la importancia de nuestra filosofía de diseño de afuera para adentro que combina con nuestros diseños y los requisitos de nuestros clientes”.

“La tecnología de 14 nanómetros de Intel utiliza la segunda generación de transistores Tri-gate para entregar el mejor rendimiento, potencia, densidad de y costo por transistor de la industria”, dijo Mark Bohr, investigador senior de Technology and Manufacturing Group y director de Process Arquitecture and Integration de Intel. “Las inversiones de Intel y el compromiso con la ley de Moore están en el corazón de lo que nuestros equipos han sido capaces de lograr con este nuevo proceso”.